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台积电推出性能增强的7nm和5nm制造工艺

据外媒报道,台积电(TSMC)目前已悄然推出7nm深紫外DUV(N7)和5nm极紫外EUV(N5)制造工艺的性能增强版本。该公司的N7P和N5P技术专为需要7nm设计运行更快或消耗电量更少的客户设计。

台积电全新N7P工艺采用与N7相同的设计规则,优化了前端(FEOL)和中端(MOL),可在相同功率下将性能提升7%,或者在相同的频率下降低10%的功耗。

据悉,台积电最早于今年在日本举办的VLSI研讨会上透露相关信息,但并没有广泛宣传。N7P采用经过验证的深紫外(DUV)光刻技术,与N7相比,没有改变晶体管密度。

而需要晶体管密度高出约18%至20%的TSMC客户,预计将使用N7+N6工艺技术。其中,N6工艺技术通过极紫外(EUV)光刻技术进行多层处理。

此外,台积电下一个具有显著密度、改进功耗和性能的主要节点是N5(5nm),提供了一个名为N5P的性能增强版本。该技术采用FEOL和MOL优化功能,以便在相同功率下使芯片的运行速度提高7%,或在相同频率下将功耗降低15%。

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